VISHAY MOSFET管SIS892ADN-T1-GE3供應商介紹
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VISHAY MOSFET管SIS892ADN-T1-GE3產品屬性
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 28 A
Rds On-漏源導通電阻: 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 19.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 9 ns
正向跨導 - 最小值: 19 S
高度: 1.04 mm
長度: 3.3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
系列: SIS
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 16 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 3.3 mm
零件號別名: SIS892ADN-GE3
單位重量: 1 g
VISHAY MOSFET管SIS892ADN-T1-GE3產品圖片
