主要規格 RT8231A RT8231B
Status Active Active
Vs (typ) (V) 5 5
Vin (min) (V) 4.5 4.5
Vin (max) (V) 26 26
Vout (min) (V) 0.675 0.675
Vout (max) (V) 3.3 3.3
Output Adj. Method Resistor Resistor
Accuracy (+/- %) 1 1
Freq (min) (kHz) 260 260
Freq (max) (kHz) 1500 1500
Iq (typ) (mA) 0.135 0.135
Ext Sync Yes Yes
Features Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Built-in Bootstrap Switch;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;DDR Total Solution;Diode Emulation Mode;Enable Input;Fast Transient Response;Internal Compensation;OCP;OVP;Power Good;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Built-in Bootstrap Switch;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;DDR Total Solution;Diode Emulation Mode;Enable Input;Fast Transient Response;Internal Compensation;OCP;OVP;Power Good;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP
Package Type WQFN3x3-20 WQFN3x3-20
關鍵特性 PWM 控制器
► 下橋 RDS(ON)檢測方式的可調電流限制
► 低靜態電流消耗
► 100ns 快速瞬態響應能力
► 全輸入、負載范圍內 1% VVDDQ電壓精度
► 0.675V~3.3V 可調輸出范圍，可供 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)
► 輸入電壓范圍：4.5V~26V
► 工作頻率由電阻調節
► 過壓/欠壓保護
► 內置軟啟動
► 可驅動大型同步整流 MOSFETs
► Power Good 指示 1.5A LDO (VTT)，帶緩沖的參考源(VTTREF)
► 高達 1.5A 電流吐納能力
► LDO 輸入可選，優化功率損失
► 僅需 10μF 陶瓷輸出電容
► 集成分壓器使 VTT 和 VTTREF 追蹤 1/2 VDDQ
► VTTREF 和 VTT 的精度：±20mV
► 支持 S3 的高阻狀態和 S4/S5 的軟關機操作 符合 RoHS 規范，不含鹵素
