制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
600mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.2 歐姆 @ 360mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
88 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
Micro6™（TSOP-6）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
基本產品編號
IRF5801
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