Source Content uid
M25P80-VMW6G
是否Rohs認證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2089338339
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
針數
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.32.00.51
風險等級
5.42
最大時鐘頻率 (fCLK)
75 MHz
數據保留時間-最小值
20
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
JESD-609代碼
e3
長度
5.3 mm
內存密度
8388608 bit
內存集成電路類型
FLASH
內存寬度
8
濕度敏感等級
1
功能數量
1
端子數量
8
字數
1048576 words
字數代碼
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
組織
1MX8
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP8,.3
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流溫度(攝氏度)
260
電源
3/3.3 V
編程電壓
2.7 V
認證狀態
Not Qualified
座面最大高度
2.5 mm
串行總線類型
SPI
最大待機電流
0.00001 A
子類別
Flash Memories
最大壓擺率
0.015 mA
最大供電電壓 (Vsup)
3.6 V
最小供電電壓 (Vsup)
2.7 V
標稱供電電壓 (Vsup)
3 V
表面貼裝
YES
技術
CMOS
溫度等級
INDUSTRIAL
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子節距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
40
類型
NOR TYPE
寬度
5.62 mm
最長寫入周期時間 (tWC)
15 ms
寫保護
HARDWARE/SOFTWARE