制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 2.1 A, 2.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 230 mOhms, 235 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V, 2 V
Qg-柵極電荷: 9.2 nC, 16.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降時間: 5 ns, 12 ns
正向跨導 - 最小值: 4.8 S, 4.7 S
高度: 1.5 mm
長度: 4.95 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 2.1 ns, 5.2 ns
系列: ZXMC10A8
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 12.1 ns, 20 ns
典型接通延遲時間: 2.9 ns, 4.3 ns
寬度: 3.95 mm
單位重量: 750 mg