參數名稱
參數值
Source Content uid
IRS2184SPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006019107
包裝說明
SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風險等級
0.87
Samacsys Description
Infineon IRS2184SPBF Dual MOSFET Power Driver, 2.3A Half Bridge, 10 → 20 V 8-Pin, SOIC
Samacsys Manufacturer
Infineon
內置保護
TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成電路類型
HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
JESD-609代碼
e3
長度
4.9 mm
濕度敏感等級
2
功能數量
1
端子數量
8
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
輸出電流流向
SOURCE AND SINK
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP8,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)
260
電源
15 V
認證狀態
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
子類別
MOSFET Drivers
最大供電電壓
20 V
最小供電電壓
10 V
標稱供電電壓
15 V
表面貼裝
YES
技術
CMOS
溫度等級
AUTOMOTIVE
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子節距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
斷開時間
0.4 μs
接通時間
0.9 μs
寬度
3.9 mm