Source Content uid IRFP4568PBF
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 8006011962
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.22
Samacsys Description IRFP4568PBF N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等級（Eas） 763 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 150 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 171 A
最大漏極電流 (ID) 171 A
最大漏源導通電阻 0.0059 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247AC
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 517 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 684 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
