RJH65T14DPQ-A0#T0

製造商: Renesas Electronics
產品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術: Si
封裝/外殼: TO-247A-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 650 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.45 V
柵極發射機最大電壓: 30 V
連續集電極電流在25 C: 100 A
Pd - 功率消耗 : 250 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
品牌: Renesas Electronics
集電極最大連續電流Ic : 100 A
柵射極漏電電流: +/- 1 uA
高度: mm
長度: mm
產品類型: IGBT Transistors
25
子類別: IGBTs
寬度: mm
每件重量: 6 g


BF4427
IRFP4568PBF
R5F100FGAFP
SIM7600CE-L1S
OPA2277UA/2K5
NRF52810-CAAA-R
NRF52810-QCAA-R
NRF52833-QDAA-R
SN74CB3Q3257PWR
LT1761ES5-5#TRPBF