制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 管件
產品狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 150 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 67 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1160 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
基本產品編號 IRF640
