Source Content uid IPG20N06S4L-14
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 1027655524
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
針數 8
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 5.79
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等級（Eas） 90 mJ
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 20 A
最大漏極電流 (ID) 20 A
最大漏源導通電阻 0.0137 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-F8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 2
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 80 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON
