IPD30N06S4L23ATMA2

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 23 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 36 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 1 ns
系列: IPD30N06
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IPD30N06S4L-23 SP001028638
單位重量: 330 mg