參數名稱 參數值
Source Content uid BSC014N04LSIATMA1
是否無鉛
含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 1299753389
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
針數 8
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 1.78
Samacsys Description INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Surface Mount
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等級（Eas） 90 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (ID) 166 A
最大漏源導通電阻 0.002 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 180 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 96 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 780 A
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON
