參數名稱 參數值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Transferred
Objectid 1787042124
零件包裝代碼 TO-220AB
包裝說明 PLASTIC PACKAGE-3
針數 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 4.53
雪崩能效等級（Eas） 109 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 150 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 35 A
最大漏極電流 (ID) 35 A
最大漏源導通電阻 0.039 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） 250
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 144 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 140 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 AMPLIFIER
晶體管元件材料 SILICON
