參數名稱 參數值
Source Content uid IRLML0030TRPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 8006018355
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
Factory Lead Time 13 weeks 3 days
風險等級 1.22
Samacsys Description INFINEON - IRLML0030TRPBF - MOSFET, N CH, 30V, 5.3A, SOT23-3
Samacsys Manufacturer Infineon
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 5.3 A
最大漏極電流 (ID) 5.3 A
最大漏源導通電阻 0.027 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 39 pF
JEDEC-95代碼 TO-236AB
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
功耗環境最大值 1.3 W
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 21 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
