NTH4L022N120M3S

類型描述選擇
類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 onsemi
系列 -
包裝 管件
產品狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 68A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 30 毫歐 @ 40A， 18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 20mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 151 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3175 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 352W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247-4L
封裝/外殼 TO-247-4