IKW75N65ES5

製造商: Infineon
產品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術: Si
封裝/外殼: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 650 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.42 V
柵極發射機最大電壓: 20 V
連續集電極電流在25 C: 80 A
Pd - 功率消耗 : 395 W
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 S5
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
柵射極漏電電流: 100 nA
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
工作溫度範圍: - 40 C to + 175 C
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
公司名稱: TRENCHSTOP
寬度: 5.31 mm
零件號別名: SP001319684 IKW75N65ES5XKSA1
每件重量: 6.100 g
INTEL EN6363QI
TI TPS4H000BQPWPRQ1
TI DS90UB964TRGCRQ1
ADI LT8640SIV#PBF
Broadcom BCM43684B1KRFBG
IKW75N65ES5
IKW40N65ES5
IR2214SSTRPBF
IRFH5300TRPBF
LTC4359HMS8#3KDPBF