ADG436BRZ-REEL_ADG436BRZ-REEL導讀
事實上，近些年隨著AI在物聯網的滲透和邊緣計算能力的增強，MEMS傳感器憑借體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、靈敏度高等一系列優點，正逐漸成為微型傳感器的主力軍，大有取代傳統機械傳感器的趨勢。
ADG436BRZ-REEL_ADG436BRZ-REEL" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />
ADG451BNZ
ADI 采用硅技術的新型高功率開關專為簡化 RF 前端設計而研發，免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計的水平。ADI 采用硅技術的新型高功率開關為 RF 設計人員和系統架構師提供了提高其系統復雜度的靈活性，且不會讓 RF 前端成為其設計瓶頸。
AD8606ACBZ-REEL7 ADA4940-1ACPZ-R7 ADIS16505-2BMLZ LT3845AEFE#TRPBF LT3502AEDC#TRPBF 。
因為無論是攝像頭、毫米波雷達、激光雷達，還是衛星導航定位，都會受到外部環境的影響，只有基于IMU的慣性導航能夠完全不受外界環境的影響地為自動駕駛系統提供連續、高精度、高可靠的車輛位置、方向、速度等多維度的信息，保障車輛的安全行駛。。
ADG408BRZ+B46:B51-REEL7 LT1172IS8#TRPBF AD8512ARZ-REEL7 ADM2582EBRWZ-REEL7 AD706JRZ-REEL7 。
ADG436BRZ-REEL_ADG436BRZ-REEL" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />
LTC4267CGN-3#PBF
N型MOS管應用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優點如下 1、開關速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導通，此時MOS管導通，電機的電流得以通過，電機轉動。。當G端為低電平的時候，D、S間無法導通，電機也就無法運行。
它簡化了電源要求，且不需要高功率電阻器。與基于 PIN 二極管的開關相比，硅開關所占用的 PCB 面積不到其 1/10。并排對比了單層 PCB 設計上基于 PIN 二極管的開關和新型硅開關的印刷電路板 (PCB) 原圖。
ADG408BRZ-REEL7 LTC3780EG#TRPBF ADG1206YRUZ-REEL7 AD8512ARMZ-REEL LT3990EMSE#TRPBF 。
ADI提供更精準更安全的鋰電池監控解決方案，不僅提升系統的可靠性和安全性，也為車輛帶來更長的續航里程。鋰離子電池是電動汽車和混合動力汽車的常用儲能方法。
ADG436BRZ-REEL_ADG436BRZ-REEL" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154962856285.jpg" />
這些加速度計的滿量程范圍為±100g(ADXL1001)、±50g(ADXL1002)和±500g(ADXL1004)，在較寬的頻率范圍內具有25μg/√Hz至125μg/√Hz的超低噪聲密度。”。此外，這些加速度計具有集成的全靜電自檢(ST)功能和超范圍(OR)指示特性，采用3.3V至5.25V單電源供電，功耗低，還有助于無線傳感產品的設計。
相關資訊
