是否Rohs認證
符合
生命周期 Transferred
Objectid 1252055336
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 4.53
雪崩能效等級（Eas） 350 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 195 A
最大漏極電流 (ID) 195 A
最大漏源導通電阻 0.002 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 230 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 1000 A
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
