FGD5T120SH

制造商: onsemi
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: DPAK-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.9 V
柵極/發射極最大電壓: 25 V
在25 C的連續集電極電流: 10 A
Pd-功率耗散: 69 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: FGD5T120SH
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
集電極最大連續電流 Ic: 10 A
柵極—射極漏泄電流: +/- 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 2500
子類別: IGBTs
單位重量: 260.370 mg