STGD5NB120SZT4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-252-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 10 A
Pd-功率耗散: 55 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: STGD5NB120SZ
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
集電極連續電流: 5 A
集電極最大連續電流 Ic: 10 A
柵極—射極漏泄電流: +/- 100 nA
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 2500
子類別: IGBTs
寬度: 6.2 mm
單位重量: 4 g