參數名稱 參數值
Source Content uid NTMFS5C430NLT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8162107792
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包裝代碼 488AA
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 67 weeks
Date Of Intro 2016-02-26
風險等級 1.58
Samacsys Description ON Semiconductor NTMFS5C430NLT1G N-channel MOSFET Transistor, 200 A, 40 V, 5-Pin DFN
Samacsys Manufacturer onsemi
雪崩能效等級（Eas） 493 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 200 A
最大漏極電流 (ID) 200 A
最大漏源導通電阻 0.0022 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 144 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 900 A
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶體管元件材料 SILICON
最大關閉時間（toff） 86 ns
最大開啟時間（噸） 301 ns
