深圳市和誠半導體有限公司
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30V-250V SGT N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMB082N06LG2

2.Package：PDFN5*6-8L

3.VDS(V)：60

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：52

6.VGS(th)(V)(Typ.)：1.7

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：8.2

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：12

WMB116N06T1 60V，5.2mΩ，116A DFN5*6
WMB082N06LG2 60V，8.2mΩ，52A DFN5*6
WMB076N06LG2 60V，7.6mΩ，70A DFN5*6
WM06N30M/MR 60V，100mΩ，3A，2310 SOT-23
WMO100N07TS 70V，7mΩ，100A，高開2-4V TO-252
WMB100N07TS 70V，7mΩ，100A，高開2-4V DFN5*6
WMK100N07TS 70V，7mΩ，100A，高開2-4V TO-220
WMB129N10T2 100V，4.2mΩ，129A，低開1-2.5V DFN5*6
WMB128N10T2 100V，4.2mΩ，128A，高開1-2.5V DFN5*6
WMM166N10T2 100V，4.2mΩ，166A，高開2-4V TO-263
WMK166N10T2 100V，4.3mΩ，167A，高開2-4V TO-220
WMB060N10LGS 100V，6mΩ，95A，低開1-2.5V DFN5*6
WMB060N10HGS 100V，6mΩ，95A，高開2-4V DFN5*6
WMK060N10HGS 100V，7mΩ，120A，高開2-4V TO-220
WMB050N10LG2 100V，5mΩ，100A，低開1-2.5V DFN5*6
WMB043N10LGS 100V，4.5mΩ，120A，低開1-2.5V DFN5*6
WMK043N10LGS 100V，4.5mΩ，120A，低開1-2.5V TO-220
WMM043N10HGS 100V，5mΩ，145A，高開2-4V TO-263
WMK043N10HGS 100V，5mΩ，145A，高開2-4V TO-220
WMS119N10LG2 100V，13mΩ，11.5A SOP8
WMQ119N10LG2 100V，13mΩ，42A DFN3*3
WMB119N10LG2 100V，13mΩ，50A DFN5*6
WMK099N10LG2 100V，9.9mΩ，65A TO-200
WMB099N10LG2 100V，9.9mΩ，62A DFN5*6
WMO15N10T1 100V，100mΩ，15A TO-252
WM10N35M2 100V，90mΩ，3.5A SOT-23
WM10N20M 100V，280mΩ，2A，2324 SOT-23
WMB072N12LG2 120V，7.2mΩ，90A DFN5*6
WMB125N12LG2 120V，12.5mΩ，61A DFN5*6
WMK125N12LG2 120V，12.5mΩ，74A TO-220
WMM058N12HG2 120V，5.8mΩ，160A TO-263
WMK049N12HG2 120V，4.9mΩ，170A TO-220
WMK161N15T2 150V，6mΩ，160A TO-220
WMO20N15T1 150V，78mΩ，20A TO-252
WMB023N03LG2 30V，2.3mΩ，83A DFN5*6
WMQ023N03LG2 30V，2.3mΩ，75A DFN3*3
WMQ28N03T1 30V，18mΩ,28A DFN3*3
WMQ46N03T1 30V，8.5mΩ，46A DFN3*3
WMK75N03T1 30V，6mΩ，75A TO-220
WMR13N03T1 30V，11mΩ，12.5A，Vth＜1V DFN2*2
WMR12N03T2 30V，8mΩ，12.5A，Vth1-2.5 DFN2*2
WM03N115A 30V，12mΩ，11.5A SOP8