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NTD4809NT4G

發布時間:2022/7/20 10:54:00 訪問次數:55

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶(TR)
產品狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
9.6A(Ta),58A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,11.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
9 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 11.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
1456 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta),52W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
基本產品編號
NTD48

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