類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
23A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.8 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 93μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
13000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），139W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC028

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
23A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.8 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 93μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
13000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），139W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC028