參數名稱 參數值
Source Content uid IPB180N04S4-H0
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 1800801220
零件包裝代碼 TO-263
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
針數 7
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 5.77
Samacsys Description MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 850 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 180 A
最大漏極電流 (ID) 180 A
最大漏源導通電阻 0.0011 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G6
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 720 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON
