類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
VishaySiliconix
系列
TrenchFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
6A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
22毫歐@6A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
3V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
27nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
基本產品編號
SI4850
NCV8461DR2G 22+
A3977SLPTR-T 2+
A3941KLPTR-T 22+
A4911KJPTR-T-1 22+
MC56F8365VFGE 21+
TPS61194PWPRQ1
