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STD2N62K3

發布時間:2022/7/22 9:32:00 訪問次數:55

類別 分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產品狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 620 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 2.2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 3.6 歐姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 340 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
基本產品編號 STD2N62

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