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地址：廣東省深圳市龍崗區坂田街道五和社區光雅園1號七樓710
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-LL8-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 300 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 124 nC
Pd-功率耗散: 429 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 9 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
系列: FDBL86062_F085
工廠包裝數量:2000