FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
100mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.5 歐姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100μA
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
VMT3
封裝/外殼
SOT-723
基本產品編號
RUM001
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