參數名稱
參數值
Source Content uid
MMBT5551LT1G
Brand Name
ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1998470757
零件包裝代碼
SOT-23
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
針數
3
制造商包裝代碼
318-08
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.21.00.95
Factory Lead Time
50 weeks
Date Of Intro
1999-01-01
風險等級
0.58
Samacsys Manufacturer
onsemi
最大集電極電流 (IC)
0.06 A
集電極-發射極最大電壓
160 V
配置
SINGLE
最小直流電流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代碼
TO-236AB
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
3
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
極性/信道類型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
認證狀態
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
0.2 V
MMBT5551LT1G
發布時間:2022/7/27 9:48:00 訪問次數:57
MMBT5551LT1G