SCTWA35N65G2V

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V，20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
72毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
73000 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247 長引線
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
SCTWA35



L9966CB-TR 21+
ATA5785-GHQW-VAO 21+
E52002A61C 21+
MAX32550-LCS+T
L4949EPTR-E
TEF6638HW/V106ZK