FDMC86261P

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
onsemi
系列
PowerTrench
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
P通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150V
25°C時電流-連續漏極(Id)
2.7A（Ta），9A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
6V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
160毫歐@2.4A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
24nC@10V
Vgs（最大值）
±25V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1360pF@75V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），40W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-MLP（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerWDFN
基本產品編號
FDMC86261

NCV8403ASTT1G
LV8729V-TLM-H
NCP349MNAETBG
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