廠家：SEMIKRON
型號：SKIM300GD126DL
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1．通態電阻Ron
通態電阻Ron是與輸出特性密切E6C2-CWZ6C相關的參數，是指在確定的柵源電壓Uos下，功率MOSFET由可調電阻區進入飽和區時的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數。在開關電路中它決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。
在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態電阻愈大，且器件的通態壓降愈大。這也是功率MOSFET電壓難以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通態電阻具有正電阻溫度系數，當電流增大時，附加發熱使R。增大，對電流的增加有抑制作用。
2．開啟電壓UG。油）
開啟電壓UG。(th)為轉移特性曲線與橫坐標交點處的電壓值，又稱閥值電壓。在實際應用中，通常將漏柵短接條件下b等于ImA時的柵極電壓定義為開啟電壓UG，它隨結溫升高而下降，具有負的溫度系數。
3．跨導g。
為轉移特性的斜率，單位為西門子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨導g的作用與GTR中電流增益相似。
4．漏源擊穿電壓BUDS
漏源擊穿電壓BUD。決定了功率MOSFET的最高工作電壓，它是為了避免器件進入雪崩區而設的極限參數。BUD。主要取決于漏區外延層的電阻率、厚度及其均勻性。由于電阻率隨溫度不同而變化，因此當結溫升高，BUD。隨之增大，耐壓提高。這與雙極型器件如GTR和晶閘管等隨結溫升高耐壓降低的特性恰好相反。
5．柵源擊穿電壓BUos
柵源擊穿電壓BUo。是為了防止絕緣柵層因柵漏電壓過高而發生介電擊穿而設定的參數。一般柵源電壓的板限值為±20V。
