SI6562CDQ-T1-GE3制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 6.7 A, 6.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 22 mOhms, 30 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 15 nC, 34 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W, 1.7 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 10 ns, 15 ns
正向跨導 - 最小值: 17 S, 22 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns, 25 ns
系列: SI6
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 25 ns, 45 ns
典型接通延遲時間: 12 ns, 30 ns
零件號別名: SI6562CDQ-GE3
單位重量: 158 mg