NVMFS5113PLT1G

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
onsemi
系列
Automotive,AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
P通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
10A（Ta），64A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
14毫歐@17A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.5V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
83nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
4400pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），150W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
8-PowerTDFN，5引線
基本產品編號
NVMFS5113

ISL8117AFRZ-T
MC9S08AW60CPUE
IRMCF183M
ISL95521AHRZ-T
ISL8117AFRZ-T