類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
71 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
280 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23F
封裝/外殼
SOT-23-3 扁平引線
基本產品編號
SSM3J334