IXTK170P10P

製造商: IXYS
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-264-3
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 170 A
Rds On - 漏-源電阻: 14 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 240 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 890 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 45 ns
互導 - 最小值: 35 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 75 ns
系列: IXTK170P10
原廠包裝數量: 25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 82 ns
標準開啟延遲時間: 32 ns
每件重量: 10 g