FDD86367-F085

制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 8.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 227 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 16 ns
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 49 ns
系列: FDD86367_F085
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: FDD86367_F085
單位重量: 330 mg