IPD122N10N3GATMA1

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
59A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
12.2 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 46μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號
IPD122