製造商: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TSOT-26-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 3.4 A, 2.8 A
Rds On - 漏-源電阻: 100 mOhms, 140 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.3 V
Qg - 閘極充電: 9 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 840 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降時間: 3 ns
互導 - 最小值: 4 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: DMG6602
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 13 ns
標準開啟延遲時間: 3 ns
每件重量: 8 mg