類別 電容器
家庭 薄膜電容器
系列 B32529
包裝 散裝
電容 1000pF
額定電壓 - AC 160V
額定電壓 - DC 250V
介電材料 聚酯,金屬化
容差 ±5%
ESR(等效串聯電阻) -
工作溫度 -55°C ~ 125°C
安裝類型 通孔
封裝/外殼 徑向
大小/尺寸 0.287" L x 0.098" W(7.30mm x 2.50mm)
高度 - 安裝(最大值) 0.256"(6.50mm)
端接 PC 引腳
引線間距 0.197"(5.00mm)
特性 通用
賽靈思公司(Xilinx)和臺積公司共同宣布聯手推動一項賽靈思稱之為“FinFast”的專項計劃,采用臺積公司先進的16納米FinFET(16FinFET)工藝打造擁有最快上市、最高性能優勢的FPGA器件。雙方分別投入所需的資源組成一支專屬團隊,針對FinFET工藝和賽靈思UltraScal e™架構進行最優化。基于此項計劃,16FinFET測試芯片預計2013年晚些時候推出,而首款產品將于2014年問市。
此外,兩家公司也在共同合作藉助臺積公司的CoWoS 3D IC制造流程以實現最高級別的3D IC系統集成度及系統級性能,雙方在此領域合作的相關產品將稍后擇期另行發布。
賽靈思公司總裁兼CEO Moshe Gavrielov指出:“我非常相信,賽靈思同臺積公司在16納米“FinFast”計劃上的合作將延續雙方之前在各項先進技術上所獲得的成果和領導地位。我們致力于和臺積公司合作是因為臺積公司在工藝技術、設計實現、服務、支持、質量和產品交貨等各方面,都是專業集成電路制造服務行業的領導者。”
臺積公司董事長兼CEO張忠謀博士表示:“我們同賽靈思攜手合作,致力于將業界最高性能、最高集成度的可編程器件迅速導入市場。我們將通力合作,于2013年和2014年分別先后推出采用臺積公司20SoC工藝與16FinFET工藝的世界級產品。”
臺積公司最近宣布將16FinFET工藝技術的生產進程提前至2013年。賽靈思與臺積公司的合作,除了將充分受惠于該工藝技術生產進度加快之外,還享有臺積公司16FinFET技術所帶來的高性能與低功耗優勢。
賽靈思同臺積公司的合作,將高端FPGA的各項需求導入FinFET的開發過程,恰如其在28HPL和20SoC工藝開發時的做法一樣,雙方將進一步針對臺積公司的工藝技術、賽靈思的UltraScale架構和新一代開發工具統統進行最優化,以實現最佳合作成果。UltraScale是賽靈思的最新ASIC級架構,能從20納米平面式工藝到16納米以及更先進的FinFET工藝進行擴展,也可以通過3D IC 技術進行系統單芯片的擴展。