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SQJ457EP-T1_GE3

發布時間:2022/8/10 10:46:00 訪問次數:73 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8-4
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 25 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 65 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 68 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 6 ns
高度: 1.04 mm
長度: 6.15 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: SQ
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 40 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
寬度: 5.13 mm
零件號別名: SQJ457EP-T1_BE3
每件重量: 506.600 mg

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