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IXFT60N60X3HV

發布時間:2022/8/11 11:01:00 訪問次數:61 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: IXYS
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-268HV-2
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 60 A
Rds On - 漏-源電阻: 51 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V
Qg - 閘極充電: 51 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 625 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: HiPerFET
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 76 ns
標準開啟延遲時間: 35 ns

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