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SIHK075N60E-T1-GE3

發布時間:2022/8/11 11:28:00 訪問次數:66 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-10
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 29 A
Rds On - 漏-源電阻: 70 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V
Qg - 閘極充電: 41 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 167 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 12 ns
互導 - 最小值: 2.3 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
2000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 45 ns
標準開啟延遲時間: 26 ns

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