類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
onsemi
系列
-
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
47A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
70 毫歐 @ 20A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 6.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
74 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1473 pF @ 325 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
176W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-4L
封裝/外殼
TO-247-4
SN65LVDS4RSET
BTS712204ESAXUMA1
LT6703HVCS5-3
ATMEGA128-16AU
LAN8740AI-EN
