製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSON-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 24 A
Rds On - 漏-源電阻: 115 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V
Qg - 閘極充電: 41 nC
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 144 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6.5 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 16 ns
標準開啟延遲時間: 70 ns
零件號別名: IPL65R115CFD7 SP005559260