FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
11A（Ta），35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
12.4 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2750 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
