類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
卷帶（TR）
Product Status
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
140A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
6 毫歐 @ 71A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），200W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
基本產品編號
IRL3803