CSD19538Q3AT

制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSONP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導通電阻: 61 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.2 V
Qg-柵極電荷: 4.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 2 ns
高度: 0.9 mm
長度: 3.15 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
系列: CSD19538Q3A
工廠包裝數量: 250
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 7 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
寬度: 3 mm
單位重量: 27.300 mg