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IXFH340N075T2

發布時間:2022/8/17 10:52:00 訪問次數:60 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

IXFH340N075T2制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續漏極電流: 340 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 300 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 935 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 35 ns
正向跨導 - 最小值: 65 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
系列: IXFH340N075
工廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 26 ns
單位重量: 6 g

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